晶背减薄是指通过研磨晶圆背面以降低封装贴装高度，减小芯片封装体积，改善芯片的热扩散效率、电气性能、机械性能及减小划片的加工量。

晶背金属化是指通过物理或化学气相沉积在晶圆背面沉积Al、Ti、NiV、Ag、Sn等金属，有助于降低器件热阻，提高散热，保护晶体管结构。

通过自催化化学反应或置换反应在材料表面沉积金属薄膜的技术, 无需外部驱动电源。

在晶圆背面注入高浓度的杂质，形成一个重掺杂区，显著降低金属与半导体之间的接触电阻。

通过探针卡检测对芯片进行电性检测，提前筛选不良芯片，减少封装损耗的分选工序。